• <strong id="kkcs8"></strong>
  • <label id="kkcs8"></label>
  • <input id="kkcs8"></input>
  • <code id="kkcs8"><bdo id="kkcs8"></bdo></code>
  • <samp id="kkcs8"></samp>
    新聞banner
    您當前的位置 : 首 頁 > 新聞中心 > 行業資訊

    聯系我們Contact Us

    株洲恒馬高新材料有限公司

    電 話:0731-28227358

    劉經理:18182058584

    陳經理:13357339881

    傳 真:0731-28227358

    郵 箱:1784708@qq.com

    地 址:湖南省株洲市荷塘區天鵝花園30棟501室

    網 址:www.vilandholidays.com

    氧化鎵制造功率元件,比SiC更出色?

    2021-10-25 14:08:43

    與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員,以論文形式介紹一下β-Ga2O3的特點、研發成果以及今后的發展。

    氧化鎵制造功率元件,比SiC更出色?

    我們一直在致力于利用氧化鎵(Ga2O3)的功率半導體元件(以下簡稱功率元件)的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。其原因在于材料特性出色,比如帶隙比SiC及GaN大,而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

    在我們瞄準的功率元件應用中,使用Ga2O3試制了“MESFET”(metal-semiconductorfield effect transistor,金屬半導體場效應晶體管)。盡管是未形成保護膜(鈍化膜)的非常簡單的構造,但試制品顯示出了耐壓高、泄漏電流小的特性。而使用SiC及GaN來制造相同構造的元件時,要想實現像試制品這樣的特性,則是非常難的。

    雖然研發尚處于初期階段,但我們認為Ga2O3的潛力巨大。本論文將介紹Ga2O3在功率元件用途方面的使用價值、研發成果,以及今后的目標等。

    Z近瀏覽:

    關于恒馬  |    產品中心    |   應用領域   |    新聞資訊   |   在線留言    |   人才招聘   |   聯系我們

    株洲恒馬高新材料有限公司

    地址:湖南省株洲市荷塘區天鵝花園30棟501室

    電話: 0731-28227358    手機:18182058584 劉經理/13357339881 陳經理/17377916253 付經理/19158337970  姜經理

    掃一掃二維碼,添加微信

    氧化鎵氧化銦


    分享到

    国产成人精品免费视频大全_国内精品一区二区三区在线观看_久久免费看少妇高潮a片不卡_性xxxxbbbb农村小树林